日本东北大学开发出新型氮化铝（AlN）单晶生长方法
2026-06-20
行业资讯
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日本东北大学研究团队开发出新型氮化铝（AlN）单晶生长方法，有望提升AlN衬底的晶体质量与尺寸，为深紫外LED、功率器件、5G滤波器等应用提供更优的衬底材料。
日本东北大学研究团队开发出新型氮化铝（AlN）单晶生长方法，有望提升AlN衬底的晶体质量与尺寸，为深紫外LED、功率器件、5G滤波器等应用提供更优的衬底材料。